FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDME1034CZT 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV
Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.8A, 2.6A 600mW Surface Mount 6-MicroFET 1.6x1.6
得捷:
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
贸泽:
MOSFET 20V Complementary PowerTrench
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDME1034CZT 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 3.8 A, 20 V, 0.055 ohm, 4.5 V, 700 mV
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.4A/2.6A 6-Pin MicroFET T/R
安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.4A/2.3A 6-Pin MicroFET T/R
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.4A/2.6A 6-Pin MicroFET T/R
Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 20V 6-MICROFET
通道数 2
针脚数 6
漏源极电阻 0.055 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 1.4 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 3.4A/2.6A
输入电容Ciss 300pF @10VVds
额定功率Max 600 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.5 mm
封装 MicroFET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15