FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS8433A 晶体管, MOSFET, P沟道, 5 A, -20 V, 47 mohm, -4.5 V, -600 mV
The is a single P-channel enhancement-mode Power FET produced using "s proprietary high cell density DMOS technology. This very high density process especially tailored to minimize ON-state resistance and provide superior switching performance. It is suitable for load switch, DC-to-DC converter and battery protection applications.
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -5.00 A
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 47 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 600 mV
输入电容 1.13 nF
栅电荷 20.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 5.00 mA
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 1130pF @10VVds
额定功率Max 1 W
下降时间 90 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS8433A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SI6993DQ-T1-E3 Vishay Siliconix | 功能相似 | FDS8433A和SI6993DQ-T1-E3的区别 |
STS5PF20V 意法半导体 | 功能相似 | FDS8433A和STS5PF20V的区别 |