FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5614P 晶体管, MOSFET, P沟道, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V
The is a P-channel MOSFET uses high voltage PowerTrench® process, fast switching speed, high performance trench technology for extremely low RDS ON.
- .
- High power and current handling capability
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
富昌:
FDD5614P 系列 60 V 100 mOhm P 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD5614P MOSFET Transistor, P Channel, -15 A, -60 V, 100 mohm, -10 V, -1.6 V
力源芯城:
-15A,-60V,P沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
DeviceMart:
MOSFET P-CH 60V 15A DPAK
额定电压DC -60.0 V
额定电流 -15.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 100 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 42 W
输入电容 759 pF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids -15.0 A
上升时间 10 ns
输入电容Ciss 759pF @30VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD5614P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD10PF06T4 意法半导体 | 功能相似 | FDD5614P和STD10PF06T4的区别 |
FDD5202P 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDD5614P和FDD5202P的区别 |