FQD7P06TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQD7P06TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -5.40 A

漏源极电阻 450 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 5.40 A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 295pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 28W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD7P06TM

型号： FQD7P06TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor 增强模式场效应晶体管使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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替代型号FQD7P06TM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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