P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管，Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET，带肖特基二极管， Semiconductor
设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗
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P沟道 20V 2.6A
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Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin MicroFET T/R
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Trans MOSFET P-CH 20V 2.3A 6-Pin MicroFET T/R
漏源极电阻 0.095 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 1.3 W
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 2.3A
上升时间 4.8 ns
输入电容Ciss 405pF @10VVds
额定功率Max 600 mW
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.55 mm
封装 MicroFET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17