FQP4N20L

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FQP4N20L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 3.80 A

漏源极电阻 1.35 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 45 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 3.80 A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

额定功率Max 45 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 45W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP4N20L
型号: FQP4N20L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET
替代型号FQP4N20L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP4N20L

Fairchild 飞兆/仙童

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