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FJD3305H1TM中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

耗散功率 1100 mW

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 4A

最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V

最大电流放大倍数hFE 28

额定功率Max 1.1 W

耗散功率Max 1100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FJD3305H1TM

型号： FJD3305H1TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor

替代型号FJD3305H1TM

型号/品牌

代替类型

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FJD3305H1TM

Fairchild 飞兆/仙童

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