FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD4243 晶体管, MOSFET, P沟道, 14 A, -40 V, 0.036 ohm, 20 V, -1.6 V
The is a P-channel MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary PowerTrench® technology to deliver low RDS ON and optimized Bvdss capability to offer superior performance benefit in the applications.
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
额定电压DC -40.0 V
额定电流 -14.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.036 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 42 W
输入电容 1.55 nF
栅电荷 29.0 nC
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 15 ns
输入电容Ciss 1550pF @20VVds
额定功率Max 3 W
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 42W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD4243 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD4243_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD4243和FDD4243_F085的区别 |
STD30PF03LT4 意法半导体 | 功能相似 | FDD4243和STD30PF03LT4的区别 |