FET,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| -20V \---|--- 最大栅源极电压Vgs±Gate-Source Voltage| -12V 最大漏极电流IdDrain Current| -500mA/-0.5A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 1200mΩ@ VGS = -2.5V, ID = -0.4A 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| -0.65~-1.5V 耗散功率PdPower Dissipation| 300mW/0.3W Description & Applications| Dual P-Channel, Digital FET General Description These dual P-Channel logic level enhancement mode MOSFET are produced using Semiconductor’s advanced Power Trench process that has been especially tailored to minimize on-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for bipolar digital transistors and small signal MOSFETS Applications • Battery management Features • Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits • Compact industry standard SC70-6 surface mount package 描述与应用| 双P沟道,数字FET 概述 这些双P沟道逻辑电平增强模式MOSFET采用飞兆半导体先进的功率沟槽进程,已特别是针对减少通态电阻。该设备已被作为一个替代双极数字和小信号MOSFET专为低电压应用 应用 •电池管理 特点 •非常低的水平栅极驱动要求可直接操作3V电路 •紧凑型工业标准SC70-6表面贴装封装
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -500 mA
通道数 2
漏源极电阻 780 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 0.3 W
输入电容 83.0 pF
栅电荷 860 pC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±12.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 83pF @10VVds
额定功率Max 300 mW
下降时间 1 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 0.3 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDG6318P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG6318PZ 安森美 | 功能相似 | FDG6318P和FDG6318PZ的区别 |