N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V , 18.8 A, 4.2米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 m
* Max r DSon = 4.2 m Ω at V GS = 10 V, I D = 18.8 A * Max r DSon = 5.5 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 16.1 A * High performance technology for extremely low r DSon * Termination is Lead-free and RoHS Compliant
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8-MLP
漏源极电阻 0.0036 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.3 W
阈值电压 1.9 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18.8A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 4865pF @15VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 45W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 MLP-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 MLP-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDMC7664 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFHM830TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDMC7664和IRFHM830TRPBF的区别 |
BSZ035N03LS G 英飞凌 | 功能相似 | FDMC7664和BSZ035N03LS G的区别 |