FDMC7664

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FDMC7664概述

N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V , 18.8 A, 4.2米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 m

* Max r DSon = 4.2 m Ω at V GS = 10 V, I D = 18.8 A * Max r DSon = 5.5 m Ω at V GS = 4.5 V, I D = 16.1 A * High performance technology for extremely low r DSon * Termination is Lead-free and RoHS Compliant


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.8A 8-Pin Power 33 T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 8-MLP


FDMC7664中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0036 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.3 W

阈值电压 1.9 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18.8A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 4865pF @15VVds

额定功率Max 2.3 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.3W Ta, 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 MLP-8

外形尺寸

长度 3.3 mm

宽度 3.3 mm

高度 0.75 mm

封装 MLP-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDMC7664
型号: FDMC7664
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET的PowerTrench 30 V , 18.8 A, 4.2米? N-Channel PowerTrench® MOSFET 30 V, 18.8 A, 4.2 m
替代型号FDMC7664
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMC7664

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IRFHM830TRPBF

英飞凌

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