FDD3N40TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDD3N40TM中文资料参数规格

技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 2.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 5 V

输入电容 225 pF

栅电荷 6.00 nC

漏源极电压Vds 400 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 2.00 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 225pF @25VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD3N40TM

型号： FDD3N40TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3N40TM 晶体管, MOSFET, N沟道, 2 A, 400 V, 2.8 ohm, 10 V, 5 V

替代型号FDD3N40TM