QFET® N 通道 MOSFET,6A 至 10.9A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。
The is a QFET® enhancement-mode N-channel Power MOSFET is produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
额定电压DC 100 V
额定电流 10.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.142 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 40 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 220 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 72 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 40W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.1 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Audio
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FQD13N10LTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF520NSTRLPBF 英飞凌 | 功能相似 | FQD13N10LTM和IRF520NSTRLPBF的区别 |
IRF520NS 英飞凌 | 功能相似 | FQD13N10LTM和IRF520NS的区别 |