FDFM2P110

FDFM2P110图片1
FDFM2P110图片2
FDFM2P110图片3
FDFM2P110图片4
FDFM2P110图片5
FDFM2P110图片6
FDFM2P110概述

集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

P-Channel 20V 3.5A Ta 2W Ta Surface Mount MicroFET 3x3mm


得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET


艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin MLP EP T/R


富昌:
P-Channel 20 V 140 mOhm Integrated PowerTrench® MOSFET-MLP 3x3


Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP


FDFM2P110中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -20.0 V

额定电流 -3.50 A

极性 P-Channel

耗散功率 2W Ta

输入电容 280 pF

栅电荷 3.00 nC

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 3.50 A

上升时间 12 ns

击穿电压集电极-发射极 20.0 V

输入电容Ciss 280pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 3.2 ns

耗散功率Max 2W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 Power-33

外形尺寸

封装 Power-33

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDFM2P110
型号: FDFM2P110
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台