集成的P沟道PowerTrench MOSFET和肖特基二极管 Integrated P-Channel PowerTrench MOSFET and Schottky Diode
P-Channel 20V 3.5A Ta 2W Ta Surface Mount MicroFET 3x3mm
得捷:
MOSFET P-CH 20V 3.5A MICROFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-Pin MLP EP T/R
富昌:
P-Channel 20 V 140 mOhm Integrated PowerTrench® MOSFET-MLP 3x3
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.5A 3X3 MLP
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.50 A
极性 P-Channel
耗散功率 2W Ta
输入电容 280 pF
栅电荷 3.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids 3.50 A
上升时间 12 ns
击穿电压集电极-发射极 20.0 V
输入电容Ciss 280pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
下降时间 3.2 ns
耗散功率Max 2W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 Power-33
封装 Power-33
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99