FQPF8N60CT

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FQPF8N60CT中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 1.5 Ω

极性 N-CH

耗散功率 48 W

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 6.26A

上升时间 60.5 ns

输入电容Ciss 1255pF @25VVds

下降时间 64.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF8N60CT
型号: FQPF8N60CT
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 6.26A 3Pin3+Tab TO-220F Rail

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