FDME820NZT

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FDME820NZT概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A, Semiconductor


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET N-channel PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin MicroFET T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 9A 6-Pin MicroFET T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 20V 9A MICROFET 1.6


FDME820NZT中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.1 W

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 9A

输入电容Ciss 865pF @10VVds

额定功率Max 700 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.1W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 UMLP-6

外形尺寸

长度 1.6 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.5 mm

封装 UMLP-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDME820NZT
型号: FDME820NZT
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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