FQD4N25TM_WS参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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FQD4N25TM_WS中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 250 V

连续漏极电流Ids 3A

输入电容Ciss 200pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

宽度 6.22 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD4N25TM_WS

型号： FQD4N25TM_WS

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R

替代型号FQD4N25TM_WS

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQD4N25TM_WS Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQD4N25TM 飞兆/仙童	类似代替	FQD4N25TM_WS和FQD4N25TM的区别
IRFR214TRPBF 威世	功能相似	FQD4N25TM_WS和IRFR214TRPBF的区别
IRFR214TRLPBF 威世	功能相似	FQD4N25TM_WS和IRFR214TRLPBF的区别