Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3Pin3+Tab IPAK Rail
N-Channel 800V 1A Tc 2.5W Ta, 45W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 800V 1A I-PAK
贸泽:
MOSFET 800V Single
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin3+Tab IPAK Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 1A IPAK
额定电压DC 800 V
额定电流 1.00 A
漏源极电阻 20 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 1.00 A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 195pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
长度 6.8 mm
宽度 2.5 mm
高度 6.3 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQU1N80TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |