FQU1N60CTU

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FQU1N60CTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 1.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 2.8 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 28 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

上升时间 21 ns

输入电容Ciss 170pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 27 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQU1N60CTU
型号: FQU1N60CTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU1N60CTU  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1 A, 600 V, 2.8 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FQU1N60CTU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQU1N60CTU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STD1NK60-1

意法半导体

功能相似

FQU1N60CTU和STD1NK60-1的区别

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