FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDG330P 晶体管, MOSFET, P沟道, 2 A, -12 V, 0.084 ohm, -4.5 V, -700 mV
The is a 1.8V specified P-channel MOSFET produced using "s advanced low voltage PowerTrench® process. It has been optimized for battery power management and load switch applications.
- .
- Low gate charge
- .
- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
- .
- Compact industry standard surface-mount package
额定电压DC -12.0 V
额定电流 -2.00 A
针脚数 6
漏源极电阻 0.084 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 750 mW
输入电容 477 pF
栅电荷 5.00 nC
漏源极电压Vds 12 V
漏源击穿电压 -200 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 2.00 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 477pF @6VVds
额定功率Max 480 mW
下降时间 18 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 750mW Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SC-70-6
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 1 mm
封装 SC-70-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDG330P Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDG312P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG330P和FDG312P的区别 |
FDG326P 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDG330P和FDG326P的区别 |
NTJS3151PT1G 安森美 | 功能相似 | FDG330P和NTJS3151PT1G的区别 |