FQB19N20CTM中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 200 V
额定电流 19.0 A
漏源极电阻 170 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 19.0 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1080pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 115 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQB19N20CTM
型号： FQB19N20CTM
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FQB19N20CTM
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQB19N20CTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFW640BTM_FP001 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQB19N20CTM和IRFW640BTM_FP001的区别 |