FQP32N20C

FQP32N20C图片1
FQP32N20C图片2
FQP32N20C图片3
FQP32N20C图片4
FQP32N20C图片5
FQP32N20C图片6
FQP32N20C图片7
FQP32N20C图片8
FQP32N20C图片9
FQP32N20C图片10
FQP32N20C图片11
FQP32N20C图片12
FQP32N20C图片13
FQP32N20C图片14
FQP32N20C图片15
FQP32N20C概述

QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。

N-Channel 200V 28A Tc 156W Tc Through Hole TO-220-3


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2


欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220


FQP32N20C中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 28.0 A

漏源极电阻 88.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 156 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 28.0 A

输入电容Ciss 2200pF @25VVds

额定功率Max 156 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 156W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP32N20C
型号: FQP32N20C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。
替代型号FQP32N20C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQP32N20C

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQP32N20C_F080

飞兆/仙童

类似代替

FQP32N20C和FQP32N20C_F080的区别

STP55NF06

意法半导体

功能相似

FQP32N20C和STP55NF06的区别

STP80NF10

意法半导体

功能相似

FQP32N20C和STP80NF10的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台