QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。
N-Channel 200V 28A Tc 156W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
欧时:
### QFET® N 通道 MOSFET,11A 至 30A,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 17.8A; 156W; TO220AB
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 28A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 28A TO-220
额定电压DC 200 V
额定电流 28.0 A
漏源极电阻 88.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 156 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 156 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 156W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FQP32N20C Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FQP32N20C_F080 飞兆/仙童 | 类似代替 | FQP32N20C和FQP32N20C_F080的区别 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FQP32N20C和STP55NF06的区别 |
STP80NF10 意法半导体 | 功能相似 | FQP32N20C和STP80NF10的区别 |