Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3Pin2+Tab DPAK T/R
N-Channel 200 V 5.5A Tc 2.5W Ta, 45W Tc Surface Mount TO-252, D-Pak
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
额定电压DC 200 V
额定电流 5.50 A
极性 N-CH
耗散功率 2.5 W
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 5.50 A
上升时间 125 ns
输入电容Ciss 500pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQD7N20LTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD5N20LT4 意法半导体 | 功能相似 | FQD7N20LTM和STD5N20LT4的区别 |
AOD450 万代半导体 | 功能相似 | FQD7N20LTM和AOD450的区别 |