FDME410NZT概述
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDME410NZT 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV
The is a single N-channel MOSFET designed using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process to optimize the RDS ON @ VGS = 1.5V on special MicroFET lead-frame. It is suitable for Li-ion battery pack, base band switch and load switch applications.
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- Halogen-free
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- >1800V HBM ESD protection level
FDME410NZT中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 6
漏源极电阻 0.019 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 700 mV
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
连续漏极电流Ids 7A
上升时间 3.4 ns
输入电容Ciss 1025pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 3.2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 PowerUFDFN-6
外形尺寸
长度 1.6 mm
宽度 1.6 mm
高度 0.55 mm
封装 PowerUFDFN-6
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDME410NZT
型号： FDME410NZT
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDME410NZT 晶体管, MOSFET, N沟道, 7 A, 20 V, 0.019 ohm, 4.5 V, 700 mV