FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD6630A 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 28 mohm, 10 V, 1.7 V
The is a N-channel MOSFET designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It has been optimized for low gate charge, low RDS ON and fast switching speed.
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- Fast switching speed
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- High performance Trench technology for extremely low RDS ON
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- 5nC Typical low gate charge
额定电压DC 30.0 V
额定电流 21.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 28 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 28 W
阈值电压 1.7 V
输入电容 462 pF
栅电荷 5.00 nC
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 462pF @15VVds
额定功率Max 1.3 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 28 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD6630A Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD17NF03LT4 意法半导体 | 功能相似 | FDD6630A和STD17NF03LT4的区别 |
IRLR7807ZPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDD6630A和IRLR7807ZPBF的区别 |