双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 4 A 70 W Through Hole TO-220-3
得捷:
TRANS NPN 400V 4A TO220-3
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Triple Diffused Planar Silicon
艾睿:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
安富利:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
富昌:
NPN 70 W 400 V 4 A 法兰安装 外延硅 晶体管 - TO-220-3
Verical:
Trans GP BJT NPN 400V 4A 3-Pin3+Tab TO-220 Rail
Win Source:
TRANS NPN 400V 4A TO-220
额定电压DC 400 V
额定电流 4.00 A
极性 NPN
耗散功率 70 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 4A
最小电流放大倍数hFE 8 @2A, 5V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 70 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 70000 mW
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FJP5304DTU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
ST13005 意法半导体 | 功能相似 | FJP5304DTU和ST13005的区别 |
FJP3305H1TU 飞兆/仙童 | 功能相似 | FJP5304DTU和FJP3305H1TU的区别 |
MJE13005G 安森美 | 功能相似 | FJP5304DTU和MJE13005G的区别 |