UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 400 V 2A Tc 30W Tc Through Hole I-PAK
欧时:
### UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
贸泽:
MOSFET 400V N-Channel
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
富昌:
FDU3N40 系列 400 V 2 A 3400 mOhm N沟道 Mosfet - IPAK
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
DeviceMart:
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 400V 2A IPAK
通道数 1
漏源极电阻 3.4 Ω
极性 N-CH
耗散功率 30 W
漏源极电压Vds 400 V
漏源击穿电压 400 V
连续漏极电流Ids 2A
上升时间 30 ns
输入电容Ciss 225pF @25VVds
额定功率Max 30 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 30W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
长度 6.8 mm
宽度 4.7 mm
高度 7.57 mm
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free