FDS6162N3

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FDS6162N3概述

20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET

N-Channel 20V 21A Ta 3W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET N-CH 20V 21A 8SO


立创商城:
N沟道 20V 21A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 20V 21A 8-Pin FLMP SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 20V 21A 8-Pin FLMP SOIC T/R


FDS6162N3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 21.0 A

漏源极电阻 45.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3 W

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±12.0 V

连续漏极电流Ids 21.0 A

上升时间 25.0 ns

输入电容Ciss 5521pF @10VVds

额定功率Max 3 W

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6162N3
型号: FDS6162N3
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:20V N沟道PowerTrench MOSFET的 20V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDS6162N3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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