FQU11P06TU

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FQU11P06TU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -9.40 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 185 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 38 W

漏源极电压Vds 60 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids -9.40 A

输入电容Ciss 550pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 38W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 2.3 mm

高度 6.1 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQU11P06TU
型号: FQU11P06TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQU11P06TU  晶体管, P沟道
替代型号FQU11P06TU
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQU11P06TU

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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