FQD6N25TM

FQD6N25TM图片1
FQD6N25TM图片2
FQD6N25TM图片3
FQD6N25TM图片4
FQD6N25TM图片5
FQD6N25TM图片6
FQD6N25TM图片7
FQD6N25TM图片8
FQD6N25TM图片9
FQD6N25TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 4.40 A

漏源极电阻 1.00 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.40 A

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 300pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 45W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD6N25TM
型号: FQD6N25TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 250V 4.4A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD6N25TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQD6N25TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FQD6N25TF

飞兆/仙童

类似代替

FQD6N25TM和FQD6N25TF的区别

FQD6N25

飞兆/仙童

功能相似

FQD6N25TM和FQD6N25的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台