FDS86106中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.083 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 5 W
阈值电压 2.9 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.4A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 208pF @50VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 2 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4 mm
宽度 5 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDS86106
型号： FDS86106
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS86106 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.4 A, 100 V, 0.083 ohm, 10 V, 2.9 V