P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管, Semiconductor
设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关
独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗
欧时:
### P 通道 PowerTrench® MOSFET MOSFET,带肖特基二极管,Fairchild Semiconductor设计用于手机及其他超便携式应用中的电池充电开关 独立连接的低正向电压肖特基二极管可实现最小的传导损耗 ### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
富昌:
FDFMA2P029Z 系列 20 V 95 mOhm 集成 P 沟道 PowerTrench® Mosfet
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
Verical:
Trans MOSFET P-CH 20V 3.1A 6-Pin MicroFET T/R
Win Source:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
DeviceMart:
MOSFET P-CH 20V 3.1A 2X2MLP
额定电压DC -20.0 V
额定电流 -3.10 A
通道数 1
漏源极电阻 95.0 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 1.4 W
输入电容 720 pF
栅电荷 10.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
连续漏极电流Ids -3.10 A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 720pF @10VVds
额定功率Max 700 mW
下降时间 36 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.4 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 MicroFET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDFMA2P029Z Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDFMA2P857 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDFMA2P029Z和FDFMA2P857的区别 |