PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
通道数 1
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2.4 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 11A
上升时间 3 ns
输入电容Ciss 1360pF @15VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 3 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 MicroFET-6
长度 2 mm
宽度 2 mm
高度 0.75 mm
封装 MicroFET-6
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free