FDMC86116LZ中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 2.3 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 3.3A
输入电容Ciss 310pF @50VVds
额定功率Max 2.3 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 19W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerWDFN-8
外形尺寸
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.75 mm
封装 PowerWDFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDMC86116LZ
型号： FDMC86116LZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。