FQD5N60CTM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQD5N60CTM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 5.00 A

针脚数 3

漏源极电阻 2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 49 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 2.80 A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 670pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 46 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 49W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： FQD5N60CTM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD5N60CTM 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.8 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 4 V

替代型号FQD5N60CTM