QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
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- 100% Avalanche tested
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- 9.5nC Typical low gate charge
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- 35pF Typical low Crss
额定电压DC 60.0 V
额定电流 21.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 53 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 21.0 A
上升时间 165 ns
输入电容Ciss 630pF @25VVds
额定功率Max 53 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 53W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.1 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP20N06L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP16NF06L 意法半导体 | 功能相似 | FQP20N06L和STP16NF06L的区别 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FQP20N06L和STP55NF06的区别 |
STP16NF06 意法半导体 | 功能相似 | FQP20N06L和STP16NF06的区别 |