FQB19N20TM参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQB19N20TM概述

Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

N-Channel 200V 19.4A Tc 3.13W Ta, 140W Tc Surface Mount D²PAK

得捷:
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

富昌:
FQB19N20 系列 200 V 0.15 Ohm 表面贴装 N沟道 Mosfet - D2PAK-3

Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 200V 19.4A D2PAK

FQB19N20TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 19.4 A

通道数 1

漏源极电阻 150 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 19.4 A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 1600pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 80 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

宽度 9.65 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB19N20TM

型号： FQB19N20TM

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 200V 19.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

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替代型号FQB19N20TM

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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