FQU2N50BTU_WS参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQU2N50BTU_WS中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 1.6A

输入电容Ciss 230pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQU2N50BTU_WS

型号： FQU2N50BTU_WS

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：Trans MOSFET N-CH 500V 1.6A 3Pin3+Tab IPAK Rail

替代型号FQU2N50BTU_WS

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FQU2N50BTU_WS Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FQU2N50BTU 飞兆/仙童	类似代替	FQU2N50BTU_WS和FQU2N50BTU的区别

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FQU2N50BTU_WS

Fairchild 飞兆/仙童

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FQU2N50BTU

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