FQD4N25TF

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FQD4N25TF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 250 V

额定电流 3.00 A

漏源极电阻 1.75 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 37W Tc

漏源极电压Vds 250 V

漏源击穿电压 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 3.00 A

输入电容Ciss 200pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 37W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQD4N25TF
型号: FQD4N25TF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 250V 3A 3Pin2+Tab DPAK T/R
替代型号FQD4N25TF
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