PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 100 V 15.7A Tc 50W Tc Surface Mount TO-252AA
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3
极性 N-CH
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 15.7A
输入电容Ciss 1465pF @25VVds
额定功率Max 50 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDD850N10L Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD850N10LD 安森美 | 功能相似 | FDD850N10L和FDD850N10LD的区别 |