FDD850N10L

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FDD850N10L概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 100 V 15.7A Tc 50W Tc Surface Mount TO-252AA


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 15.7A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3


DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 15.7A DPAK-3


FDD850N10L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 50 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 15.7A

输入电容Ciss 1465pF @25VVds

额定功率Max 50 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDD850N10L
型号: FDD850N10L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,10A 至 19.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDD850N10L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD850N10L

Fairchild 飞兆/仙童

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安森美

功能相似

FDD850N10L和FDD850N10LD的区别

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