FDS4559

FDS4559图片1
FDS4559图片2
FDS4559图片3
FDS4559图片4
FDS4559图片5
FDS4559图片6
FDS4559图片7
FDS4559图片8
FDS4559图片9
FDS4559图片10
FDS4559图片11
FDS4559图片12
FDS4559图片13
FDS4559图片14
FDS4559图片15
FDS4559图片16
FDS4559图片17
FDS4559图片18
FDS4559图片19
FDS4559图片20
FDS4559图片21
FDS4559图片22
FDS4559图片23
FDS4559图片24
FDS4559图片25
FDS4559图片26
FDS4559图片27
FDS4559概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4559  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 V

The is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.


欧时:
### PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench Mosfet - SOIC-8


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 4.5/-3.5A; 2W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4559  Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 60 V, 0.042 ohm, 10 V, 2.2 V


力源芯城:
60V,N/P互补PowerTrench MOSFET


Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8


FDS4559中文资料参数规格
技术参数

额定电流 4.50 A

额定功率 2 W

针脚数 8

漏源极电阻 0.042 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 2.2 V

输入电容 759 pF

栅电荷 15.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 ±60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.50 A

上升时间 10.0 ns

输入电容Ciss 650pF @25VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

FDS4559引脚图与封装图
FDS4559引脚图
FDS4559封装焊盘图
在线购买FDS4559
型号: FDS4559
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS4559  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 V
替代型号FDS4559
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDS4559

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

FDS4559_F085

飞兆/仙童

类似代替

FDS4559和FDS4559_F085的区别

IRF7343TRPBF

英飞凌

功能相似

FDS4559和IRF7343TRPBF的区别

STS4C3F60L

意法半导体

功能相似

FDS4559和STS4C3F60L的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台