FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4559 双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 4.5 A, 60 V, 55 mohm, 10 V, 2.2 V
The is a complementary MOSFET device is produced using advanced PowerTrench process that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance. Suitable for LCD backlight inverter.
欧时:
### PowerTrench® 双 N/P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R
富昌:
FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench Mosfet - SOIC-8
TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 4.5/-3.5A; 2W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-Pin SOIC N T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDS4559 Dual MOSFET, N and P Channel, 4.5 A, 60 V, 0.042 ohm, 10 V, 2.2 V
力源芯城:
60V,N/P互补PowerTrench MOSFET
Win Source:
MOSFET N/P-CH 60V 4.5A/3.5A 8-SO
DeviceMart:
MOSFET N/P-CH 60V 4.5/3.5A SO-8
额定电流 4.50 A
额定功率 2 W
针脚数 8
漏源极电阻 0.042 Ω
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 2 W
阈值电压 2.2 V
输入电容 759 pF
栅电荷 15.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 ±60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 10.0 ns
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 1 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDS4559 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS4559_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDS4559和FDS4559_F085的区别 |
IRF7343TRPBF 英飞凌 | 功能相似 | FDS4559和IRF7343TRPBF的区别 |
STS4C3F60L 意法半导体 | 功能相似 | FDS4559和STS4C3F60L的区别 |