PowerTrench® N 通道 MOSFET，10A 至 19.9A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s PowerTrench® process. It is suitable for use in synchronous rectification and micro solar inverter application.
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- Low miller charge
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- Low Qrr body diode
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- UIS Capability single pulse and repetitive pulse
额定电压DC 150 V
额定电流 14.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.101 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 65 W
阈值电压 4 V
输入电容 770 pF
栅电荷 11.2 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 770pF @25VVds
额定功率Max 65 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 65W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD120AN15A0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
HUF75829D3S 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD120AN15A0和HUF75829D3S的区别 |
HUF75829D3ST 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD120AN15A0和HUF75829D3ST的区别 |