FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT1N80TF_WS 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V
QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A, Semiconductor
Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。
得捷:
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
欧时:
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQT1N80TF_WS, 200 mA, Vds=800 V, 3针+焊片 SOT-223封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
富昌:
800V, 0.2A, 20OHM, N-CH, SOT-223
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQT1N80TF_WS Power MOSFET, N Channel, 200 mA, 800 V, 15.5 ohm, 10 V, 5 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223
针脚数 3
漏源极电阻 15.5 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 0.2A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 195pF @25VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 25 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.7 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15