FQD2N30TM

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FQD2N30TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 300 V

额定电流 1.70 A

漏源极电阻 3.70 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 25W Tc

漏源极电压Vds 300 V

漏源击穿电压 300 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.70 A

输入电容Ciss 130pF @25VVds

耗散功率Max 2.5W Ta, 25W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: FQD2N30TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 300V 1.7A 3Pin2+Tab DPAK T/R

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