FJD5555TM

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FJD5555TM中文资料参数规格
技术参数

极性 NPN

耗散功率 1.34 W

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 5A

最小电流放大倍数hFE 20 @800mA, 3V

额定功率Max 1.34 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1340 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FJD5555TM
型号: FJD5555TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:NPN硅晶体管 NPN Silicon Transistor

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