FQP4N25概述
250V沟道MOSFET 250V Channel MOSFET
N-Channel 250 V 3.6A Tc 52W Tc Through Hole TO-220-3
立创商城:
FQP4N25
得捷:
MOSFET N-CH 250V 3.6A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 250V 3.6A 3-Pin3+Tab TO-220
FQP4N25中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 250 V
额定电流 3.60 A
漏源极电阻 1.75 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 52W Tc
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.60 A
输入电容Ciss 200pF @25VVds
额定功率Max 52 W
耗散功率Max 52W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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替代型号FQP4N25
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQP4N25 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
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