FQD2N80TM

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FQD2N80TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 800 V

额定电流 1.80 A

针脚数 3

漏源极电阻 4.9 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 5 V

输入电容 425 pF

栅电荷 12.0 nC

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.80 mA

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 28 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.1 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQD2N80TM
型号: FQD2N80TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQD2N80TM  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.8 A, 800 V, 4.9 ohm, 10 V, 5 V
替代型号FQD2N80TM
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