FQPF4N20L

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FQPF4N20L中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 27 W

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 3A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 310pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 27W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQPF4N20L
型号: FQPF4N20L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:LOGIC 200V N沟道MOSFET 200V LOGIC N-Channel MOSFET

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