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Bipolar BJT Transistor NPN 400 V 5 A - 75 W Through Hole TO-220-3
欧时:
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双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT NPN Silicon
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Win Source:
NPN Silicon Transistor
额定电压DC 400 V
额定电流 5.00 A
极性 NPN
耗散功率 75 W
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 5A
最小电流放大倍数hFE 20 @800mA, 3V
最大电流放大倍数hFE 40
额定功率Max 75 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99