FDS9934C

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FDS9934C概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9934C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V

The is a dual N/P-channel enhancement-mode Power FET produced using advanced PowerTrench process. It is especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for low voltage and battery powered applications where low in-line power loss and fast switching are required.


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6


立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 5A 6.5A


贸泽:
MOSFET 20V Complementary PowerTrench


艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC N T/R


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC N T/R


富昌:
FDS9934C 系列 20 V 30 mOhm 双 N和P沟道 PowerTrench® MOSFET - SOIC-8


TME:
Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 20/-20V; 6.5/5A; 2W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8-Pin SOIC N T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9934C  Dual MOSFET, N and P Channel, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N/P-CH 20V 6.5A/5A 8SOIC


DeviceMart:
MOSFET N/P-CH DUAL 20V 8SOIC


FDS9934C中文资料参数规格
技术参数

额定电流 6.50 A

针脚数 8

漏源极电阻 0.025 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 2 W

阈值电压 1 V

输入电容 955 pF

栅电荷 8.70 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 ±20.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V

连续漏极电流Ids 6.50 A

上升时间 9.00 ns

输入电容Ciss 650pF @10VVds

额定功率Max 900 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.6 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.575 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS9934C
型号: FDS9934C
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS9934C  双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 6.5 A, 20 V, 0.025 ohm, 4.5 V, 1 V
替代型号FDS9934C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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