FDD8876

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FDD8876中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 73.0 A

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 70 W

输入电容 1.70 nF

栅电荷 34.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 73.0 A

上升时间 91 ns

输入电容Ciss 1700pF @15VVds

额定功率Max 70 W

下降时间 37 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD8876
型号: FDD8876
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:N沟道MOSFET的PowerTrench N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
替代型号FDD8876
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Fairchild 飞兆/仙童

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